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稀土磁电子材料
磁电子材料
具有巨磁阻效应、庞磁阻效应和自旋隧道效应，能制备成磁性传感器、磁性隔离耦合器、磁性数据耦合器、磁电耦合器、磁逻辑耦合器和磁性存储器等磁电子器件的材料。
巨磁电阻效应
巨磁电阻效应是指当铁磁材料和非磁层交替组合成的材料在足够强的磁场中电阻巨幅下降的现象，相比传统磁电阻效应大1个数量级以上，例如DyNiB合金的MR达到-11%。
稀土巨磁电阻材料
稀土元素掺杂的多层膜、颗粒膜以及合金巨磁电阻材料，如Fe/RE/Cr多层膜，REx(CoAg)100-x颗粒膜，(CuCoNi)xRE100-x合金等。
庞磁电阻效应
钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100%的自旋极化率，在铁磁居里温度附件表现出极大磁电阻效应，例如La0.67Ca0.33MnO3薄膜在6特斯拉磁场下磁电阻效应可达99.9%。与巨磁电阻相比，庞磁电阻是材料的本征属性，而且大多数是各向同性。
稀土庞磁电阻材料
具有钙钛矿结构，化学式RE1-xAExMnO3，其中RE为三价的稀土金属元素如La3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+或Bi3+，AE是二价的碱土金属元素如Sr2+、Ca2+、Ba2+或Pb2+。晶格结构为畸变的钙钛矿（CaTiO3, ABO3）结构。
稀土磁电子器件
根据稀土磁电子材料的力磁效应、磁电效应、磁光效应、磁阻效应、自旋隧道效应等制成的各类先进磁敏器件，包括磁性传感器、磁性隔离耦合器和磁性存储器等。